常州屏宇屏蔽設(shè)備有限公司是一家專業(yè)的屏蔽室、屏蔽襯墊公司，在上篇文章中我們了解了屏蔽機(jī)房，今天我們就為大家講解一下影響屏蔽材料的屏蔽效能的因素 縫隙電磁泄漏的措施;
深入理解下面的結(jié)論對(duì)于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)是十分重要的。
1）材料的導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性越好，屏蔽效能越高，但實(shí)際的金屬材料不可能兼顧這兩個(gè)方面，例如銅的導(dǎo)電性很好，但是導(dǎo)磁性很差；鐵的導(dǎo)磁性很好，但是導(dǎo)電性較差。應(yīng)該使用什么材料，根據(jù)具體屏蔽主要依賴反射損耗、還是吸收損耗來決定是側(cè)重導(dǎo)電性還是導(dǎo)磁性；
2）頻率較低的時(shí)候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機(jī)理，要盡量提高反射損耗；
3）反射損耗與輻射源的特性有關(guān)，對(duì)于電場(chǎng)輻射源，反射損耗很大；對(duì)于磁場(chǎng)輻射源，反射損耗很小。因此，對(duì)于磁場(chǎng)輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應(yīng)該選用磁導(dǎo)率較高的材料做屏蔽材料。
4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關(guān)，對(duì)于電場(chǎng)輻射源，距離越近，則反射損耗越大；對(duì)于磁場(chǎng)輻射源，距離越近，則反射損耗越小；正確判斷輻射源的性質(zhì)，決定它應(yīng)該靠近屏蔽體，還是原理屏蔽體，是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的一個(gè)重要內(nèi)容。
5）頻率較高時(shí)，吸收損耗是主要的屏蔽機(jī)理，這時(shí)與輻射源是電場(chǎng)輻射源還是磁場(chǎng)輻射源關(guān)系不大。
6）電場(chǎng)波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁場(chǎng)波是最難屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場(chǎng)，很難屏蔽。對(duì)于低頻磁場(chǎng)，要采用高導(dǎo)磁性材料，影響屏蔽材料的屏蔽效能的因素甚至采用高導(dǎo)電性材料和高導(dǎo)磁性材料復(fù)合起來的材料。
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一般情況下，屏蔽機(jī)箱上的不同部分的結(jié)合處不可能完全接觸，只能在某些點(diǎn)接觸上，這構(gòu)成了一個(gè)孔洞陣列?？p隙是造成屏蔽機(jī)箱屏蔽效能降級(jí)的主要原因之一。在實(shí)際工程中，常常用縫隙的阻抗來衡量縫隙的屏蔽效能?？p隙的阻抗越小，則電磁泄漏越小，屏蔽效能越高。
縫隙處的阻抗：縫隙的阻抗可以用電阻和電容并聯(lián)來等效，因?yàn)榻佑|上的點(diǎn)相當(dāng)一個(gè)電阻，沒有接觸的點(diǎn)相當(dāng)于一個(gè)電容，整個(gè)縫隙就是許多電阻和電容的并聯(lián)。低頻時(shí)，電阻分量起主要作用；高頻時(shí)，電容分量起主要作用。由于電容的容抗隨著頻率升高降低，因此如果縫隙是主要泄漏源，則屏蔽機(jī)箱的屏蔽效能優(yōu)勢(shì)隨著頻率的升高而增加。但是，如果縫隙的尺寸較大，高頻泄漏也是縫隙泄漏的主要現(xiàn)象。
影響電阻成分的因素：影響縫隙上電阻成分的因素主要有：接觸面積（接觸點(diǎn)數(shù)）、接觸面材料（一般較軟的材料接觸電阻較小）、接觸面的清潔程度、接觸面的壓力（壓力要足以使接觸點(diǎn)穿透金屬表層氧化層）、氧化腐蝕等。
影響電容成分的因素：根據(jù)電容器原理，很容易知道：兩個(gè)表面之間距離越近，相對(duì)的面積越大，則電容越大。
解決縫隙泄漏的措施：
1） 接觸面的重合面積，這可以減小電阻、增加電容。
2） 使用縫隙電磁泄漏的措施盡量多的緊固螺釘，這也可以減小電阻、增加電容。
3） 保持接觸面清潔，減小接觸電阻。
4） 保持接觸面較好的平整度，這可以減小電阻、增加電容。
5） 使用電磁密封襯墊，消除縫隙上不接觸點(diǎn)。
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